王兴晟

个人信息Personal Information

教授   博士生导师   硕士生导师  

性别:男

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

学历:研究生(博士)毕业

学位:哲学博士学位

毕业院校:格拉斯哥大学

学科:微电子学与固体电子学

专利

当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利

忆阻器单元与CMOS电路的后端集成结构及其制备方法

点击次数:

发明设计人:王兴晟,黄梦华,王成旭,缪向水

专利类型:发明

申请号:202210933678.X

授权号:ZL202210933678.X

发明人数:4

申请日期:2022-08-04

授权日期:2024-09-02