发明名称：利用SOI片制作高精度MEMS惯性传感器的方法及重力加速度传感器（PCT国际申请） 发明人：刘骅锋，涂良成，宋萧萧，伍文杰，刘金全，饶康，渠自强，徐小超 申请号：PCT/CN2018/095022 申请日： 2018-07-09
发明名称： 一种消除介质层针孔缺陷影响的方法 发明人：刘骅锋，涂良成，宋萧萧，王秋，饶康，渠自强，伍文杰，刘金全，范继 申请号：201711193289.3 申请日： 2017-11-24
