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专利成果

一种含稀土栅介质层的平面型 SiC MOSFET 及其制造方法

发布时间：2023-04-04
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专利说明：
杨伟锋,王鑫炜,冶晓峰,龙明涛
申请号：
202310089961.3
发明人数：
4
是否职务专利：
否

©2023　厦门大学　电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院） 功率半导体实验室 版权所有


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