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专利成果
一种用于SiC功率器件的阶梯状复合终端结构及其制造方法
发布时间:2023-04-04
点击次数:
专利说明:
杨伟锋,冶晓峰,王懿锋,王鑫炜
申请号:
202211743100.4
发明人数:
4
是否职务专利:
否
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一种含稀土栅介质层的平面型 SiC MOSFET 及其制造方法
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一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法