该成果以《射频磁控溅射法制备六方氮化硼薄膜的2英寸晶圆级剥离》（Two-inch wafer-scale exfoliation of hexagonal boron nitride films fabricated by RF-sputtering）为题发表在《先进功能材料》（Advanced Functional Materials，IF=19.9）上。西安交通大学为论文第一完成单位。论文第一作者为西安交大电子学院青年教师李强副教授。电子学院先进光电所所长云峰教授与郑州大学刘玉怀教授、英国谢菲尔德大学Tao Wang教授、西安电子科技大学郝跃院士为共同通讯作者。

六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在场效应晶体管、深紫外发光器件和探测器上有重要的应用，是二维材料家族中的重要成员。同时，hBN能与其他二维材料（石墨烯、二硫化钼、黑磷等）结合，在二维材料异质集成，制备微小型、低功耗器件上表现优异，潜力巨大，被认为是最有前途的材料之一。通过磁控溅射法制备了晶圆级连续hBN厚膜，并对2英寸的完整薄膜进行了剥离和转移。团队成员通过旋涂PMMA辅助的液相剥离方法，使2英寸hBN薄膜完整剥离并转移。系统地分析了影响溅射生长薄膜剥离和转移过程的一些关键因素，包括不同的溶液、不同的溶液浓度和不同的薄膜厚度。对剥离前后hBN薄膜的形貌和性能进行了表征，转移薄膜的带边吸收峰为229nm，相应的光学带隙为5.50 eV。这种转移的hBN薄膜已在ITO玻璃上制成透明电阻开关器件，即使在不同的外加电压下，也显示出~102的恒定电阻窗口。本研究成果为hBN材料在柔性及透明光电子器件中的进一步应用奠定了基础。

云峰教授和李强副教授课题组，近年来一直致力于超宽禁带半导体材料（六方氮化硼）的制备和器件应用，前期工作已获得十余项国家发明专利并在Optical Materials Express、Applied Surface Science等最具影响力期刊上发表了一系列文章。