■记者 蒙少华

勇担强“芯”使命，矢志突破国家“卡脖子”关键技术。6月24日上午，全国科技大会、国家科学技术奖励大会、两院院士大会在京召开，西安电子科技大学马晓华教授牵头项目荣获2023年度国家科学技术进步一等奖。

4名国家级人才、30多名教授副教授、30多名青年教师以及150多名硕博研究生，共同组成了这支基础素质高、知识面宽，充满朝气、年轻有为的科研队伍。此次获奖，凝聚了宽禁带半导体团队数十年的研发心血，也为我国在宽禁带半导体领域的发展树立了新的里程碑。

勇担科技报国使命 涵养创新驱动活力

天地乾坤新发明，拔山贯日破苍穹。

禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，被称为宽禁带半导体材料，具有耐高温、高压和抗辐射的特性。为打破国际封锁，从上世纪90年代开始，宽禁带半导体团队在郝跃院士的带领下从零开始，自力更生，自筹经费，围绕“宽禁带半导体材料与器件研究”进行了近十年的艰苦研究。

此次获得2023年度国家科学技术进步一等奖，宽禁带半导体团队便是聚焦射频功率放大器——这个多年来为我们提供优质通信体验的“幕后英雄”，项目形成了全链条自主可控的氮化镓射频功放技术体系，实现了在北斗导航等国家重大工程应用和全球最大规模的5G通信产业化应用。

谋而后定坚守初心，敢为人先矢志不渝。正如宽禁带半导体国家工程研究中心主任马晓华所说的：“其实我们整个氮化镓的研究已经做了20多年，前期10年我们没有这么多成果。这些充分说明，我们做一件事情需要谋而后定，要针对目标去细化需要解决的问题，也需要守住初心，把事情做透做实，不断去积累、去迭代、去逼近，直至达成目标。”

当前，宽禁带半导体团队正在瞄准新一代半导体射频器件、功率器件、探测传感器件等重大关键技术，致力于攻克频率、功率、效率、可靠性等亟待解决的关键科技问题，已经实现了5G通讯基站用氮化镓射频器件、高效率新型结构氮化镓二极管等关键核心技术突破，氮化镓器件效率持续引领世界纪录，近五年获省部级以上成果奖8项，引领我国第三代半导体达到国际领先水平。

深化教育教学改革 提升思政课铸魂育人实效

人才之难万冀一，一士其重九鼎轻。

“发丝上建高楼”的半导体制造人才，是当前全球高科技领域较量的关键。

为了打造符合时代和行业发展的高水平育人体系，宽禁带半导体教师团队紧跟行业发展前景，及时增设《纳米电子学基础》《Advanced Nano-MOSFET Devices》等前沿课程13门、新增新实验35个，同时积极组织开展青年教师示范观摩课、教学质量提升研讨会、华山学者引领计划、一流课程传承与发展等研讨会，力图将团队人才优势转化为人才培养新势能。

培养造就大批德才兼备的高素质人才，是高校必须肩负起来的责任。“在为学生提供充足知识储备的基础上，帮助‘芯’青年厚植家国情怀，传承芯火希望，我们团队的各位老师都义不容辞。”马晓华深情地说。

对此，团队选择将思想政治工作贯穿教育教学全过程。2017年，西电微电子学院的一群学生在学院党委号召下，组成了红色朝阳班，由郝跃院士担任红色朝阳班班主任，形成了以“涵养核心价值观－弘扬革命精神－践行科技报国使命”为基本路径的党建导学思政工作体系。

微电子学院院长、集成电路学部副主任郑雪峰这样阐述他们的教学思路：“我们做思政教育，首先是要让学生们关注到国家的迫切需求是什么，国家对集成电路学部、微电子学院、半导体行业专业人才培养赋予的真正使命是什么？我们还是要让学生对于解决材料、器件、工艺等‘卡脖子’基础性问题，有一种责任感和使命感。”

专业课程思政首席教授杨林安进一步补充道：“作为高校教师，我们也要‘守好一段渠，种好责任田’，以‘努力进取’‘自强自立’的创新精神和‘科学严谨’的工作态度，引导学生增强科技自立自强的使命感和责任心，激发他们进一步深入探索专业知识的兴趣和主动性。”

基于此，他们开始建设课程思政典型案例；修订融合思政元素的培养方案和课程大纲；构建以兴趣为导向的“1+3+10”的网格导学体系和“五位一体”的育人活动体系……宽禁带半导体教师团队在探索全过程思政育人方面拓宽载体、丰富内容、强化师资，将思政元素融入课堂教学、日常生活的各个环节，实现立德树人又润物无声。

产学研用深度融合 走活人才培养这盘棋

求知之路，漫漫无边。大千世界，无微不至。

“晶圆加工、氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积……”上午9时，在西电宽禁带半导体国家工程研究中心实验室，身穿超净服的师生在有条不紊地忙碌着。作为产学研用一体化平台，中心整体规划建设22000平米实验大楼和2800平米超净实验室，高标准搭建“材料－器件－分测”研究工艺线，能够兼容4-6英寸工艺制造的宽禁带半导体技术创新平台。

“依托这个平台，学生可以通过半导体设计、制备、测试等全流程的工艺实践，将一些创新的想法落地。”微电子学院教授祝杰杰介绍，“因为整个研究与产业应用结合得非常紧密，这些创新性的成果也会显著提升产品应用性能”。

同时，为进一步推动产学研深度融合，宽禁带半导体团队积极与区域经济社会发展和行业、产业需求对接，共同探索重点产业和新兴产业升级发展中的前瞻性、先导性、探索性的技术问题。如，面向华为等龙头企业，建立“材料－器件－设计－测试－封装”全链条合作关系；联合企业组成运维保障团队，共同运营工艺线。

“校企合作过程中，我们最大的一个特点是，我们与企业不是就一个项目的单独合作，而是在一个领域持续的合作。企业根据实际工作中遇到的问题，与学校共同探索解决方案。这一过程中，企业解决了实际的产品问题，产生了经济效益。我们研发的产品拥有了应用价值，产生了社会影响力。”马晓华分享道。

积土而为山，积水而为海。目前宽禁带半导体团队年均毕业本硕博学生近千名，是国内高校集成电路领域人才培养规模最大、培养质量一流的人才基地；毕业生30%投身国家国防单位，80%进入行业龙头企业。

引才推动高质量发展汇智 支撑宽禁带半导体建设

功以才成，业由才广。

建设国内一流宽禁带半导体领域人才中心和创新高地，人才储备是关键。

如何长远谋划人才队伍建设，在团队内部营造“近者悦，远者来”的良好生态？

如何引才、用才，让人才的聪明才智充分涌流？

如何培养青年人才兴趣，让他们把宽禁带半导体当做自己的事业，自己成就梦想的地方去不懈努力？

面对这些疑问，宽禁带半导体团队坚持引育并举，聚天下英才而用之，打造人才培养先锋队和科技创新尖刀连。

他们建立了青年人才数据库，实行“专家学者－青年教师－管理人员”三对一精准跟踪服务，设立引才校园联络大使，采用兼职教授、短期工作、合作科研等灵活形式，对急需紧缺高层次特殊人才实行“一事一议”“一人一策”，不断加强团队人才引进力度。

他们建立老中青“传帮带”机制，形成了“华山领军教授-特聘教授-菁英教授-准聘副教授”多层次人才培育网络，帮助优秀人才脱颖而出。

“我们团队以年轻人为主，年轻人他们成长在大的平台下，我们一方面会给他们一些压力，另一方面也会给他们一些希望，尤其是给他们定目标，让他们对未来充满期待。”马晓华介绍道，“另外我们也会辅助他们去为自己的目标努力奋斗，尤其是在他们最关键的时候，托他们几步，他们站的台阶就高一点，他们就更有往前冲的希望和信心。”

2021年，郝跃院士发起设立“芯缘科创基金”，鼓励“从0到1”突破，激励青年人才科研创新。截至目前，芯缘科创基金评出电子信息领域创新项目9项，分别由4名青年教师、5名在校学生获得首届芯缘科创奖。

近两年来，团队多名成员先后入选国家级和省部级各类人才支持计划。青年教师芦浩、张濛对团队前辈们的指导感激不已，他们介绍：“从硕博求学到留校工作，团队各位老师丰富的知识储备、精益求精的科研精神以及郝跃院士的科研事迹，让我们受益匪浅。学生或者我们青年教师更愿意把整个宽禁带半导体当事业来做，这也是我们团队科学家精神所在。”

艰难困苦玉汝于成，多年来，宽禁带半导体团队在教育教学、科研创新、团队建设等方面聚力用劲，持续深耕化合物半导体材料和器件领域，努力突破“卡脖子”技术，走出了一条“顶天立地”的科技创新之路。

遥望星空脚踩大地，面向未来，宽禁带半导体团队将持续攻关国家战略急需的关键核心技术，培养造就一批批半导体领域优秀的引领者和开拓者，为推动我国宽禁带半导体技术研究迈向国际先进行业贡献自己的“芯力量”。