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• 2022-05-09InfoMat刊发研究所选通管机理最新成果

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• 2022-02-23团队成果获中国半导体十大研究进展

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• 2022-01-21基于MoTe2的超快相变存储器件

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• 2022-01-21全世界功耗最低的相变存储器

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• 2021-10-19研究所可重构忆阻器工作被IEDM接收

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• 2021-08-23《科学》刊发ISMD团队的感存算一体研究成果

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• 2022-04-07研究所在忆阻器存内计算研究领域取得重要进展

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• 2021-06-03基于低维HfSeO的超低功耗忆阻逻辑器件

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• 2022-02-23用于强化学习的可重构双WSe2晶体管突触单元

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• 2021-05-28研究所物理不可克隆函数研究工作登《先进电子材料》封面

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