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韩恺桢

同专业硕导

个人信息

Personal information

其他

性别：男

在职信息：在职

所在单位：集成电路学院

学历：研究生(博士)毕业

学位：哲学博士学位

毕业院校：新加坡国立大学

学科：电子科学技术

论文成果

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[11] Han Kaizhen et. al.,First demonstration of complementary FinFETs and tunneling FinFETs co-integrated on a 200 mm GeSnOI substrate: A pathway towards future hybrid Nano-electronics systems.IEEE Symposium on VLSI Technology,2019,T182 - T183

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