韩恺桢
个人信息
Personal information
其他
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：哲学博士学位
毕业院校：新加坡国立大学
学科：电子科学技术 First demonstration of complementary FinFETs and tunneling FinFETs co-integrated on a 200 mm GeSnOI substrate: A pathway towards future hybrid Nano-electronics systems
第一作者：Han Kaizhen et. al.
发表刊物：IEEE Symposium on VLSI Technology
页面范围：T182 - T183
发表时间：2019-07-25