韩恺桢
个人信息
Personal information
其他
性别：男
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：哲学博士学位
毕业院校：新加坡国立大学
学科：电子科学技术 Indium-Gallium-Zinc-Oxide (IGZO) Nanowire Transistors
论文类型：期刊论文
第一作者：Han Kaizhen et. al.
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
卷号：68
期号：12
页面范围：6610 - 6616
发表时间：2021-09-30