合肥工业大学主页平台管理系统李贺龙--中文主页-- A Novel DBC Layout for Current Imbalance Mitigation in SiC MOSFET Multichip Power Modules

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A Novel DBC Layout for Current Imbalance Mitigation in SiC MOSFET Multichip Power Modules

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影响因子：5.967

发表刊物：IEEE Transactions on Power Electronics

论文类型：期刊论文

学科门类：工学

是否译文：否

发表时间：2016-12-01

收录刊物：SCI

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李贺龙 (教授)