教育经历
1997／8－2000／7 中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室，博士，
1992.8－1995.7 兰州大学 物理系，硕士
1988.8－1992.7兰州大学 物理系，学士
工作经历
2007／8----- 至今 厦门大学 物理科学与技主学院物理学系 教授/博导
2004／4－2007／8 厦门大学 物理与机电工程学院物理系 副教授
2002／3－2004／3 日本筑波大学 物理工学系，助手
2000／7－2002／1 中国科学院半导体研究所，博士后
1995／7－1997／8 西安微电子技术研究所，助理工程师

1.Zhiwei Huang, Chunyu Yu, Ailing Chang, Yimo Zhao, Wei Huang, Songyan Chen, and Cheng Li,* High-k dielectric interlayered ITO/germanium Schottky photodiodes with low dark current and high photoconductive gain， 2020, J Mater Sci，https://doi.org/10.1007/s10853-020-04625-3.
2.Guangyang, Lin, Dongxue Liang,Chunu Yu, Haiyang Hong, Yicheng Mao, Cheng Li,* and Songyan Chen，Broadband 400-2400 nm Ge heterostructure nanowire photodetector fabricated bythree-dimensional Ge condensation technique，Optics Express Vol. 27, No. 22， 32802
3.Lu Zhang1, Haiyang Hong1, Cheng Li1*, Songyan Chen1, Wei Huang1, Jianyuan Wang1, and Hao Wang，High-Sn fraction GeSn quantum dots for Si-based light source at 1.55 μm，Applied Physics Express 12, 055504 (2019)
4.Guangyang Lin, Xiaohui Yi, Cheng Li,a) Ningli Chen, Lu Zhang, Songyan Chen, Wei Huang, Jianyuan Wang, Xihuan Xiong, and Jiaming Sun，Strong room temperature electroluminescence from lateral p-SiGe/i-Ge/n-SiGe heterojunction diodes on silicon-on-insulator substrate，Appl. Phys. Lett. 109, 141104 (2016).
5.Guangyang Lin, Chen Wang, Cheng Li, Chaowen Chen, Zhiwei Huang, Wei Huang, Songyan Chen, Hongkai Lai , Chunyan Jin, and Jiaming Sun Strong electroluminescence from direct band and defects in Ge n+/p shallow junctions at room temperature，Appl. Phys. Lett. 108, 191107 (2016).
6.Zhiwei Huang, Cheng Li*, Guangyang Lin, Shumei Lai, Chen Wang, Wei Huang, Jianyuan Wang, and Songyan Chen, Suppressing the formation of GeOx by doping Sn into Ge to modulate the Schottky barrier height of metal/n-Ge contact， Appl. Phys. Express 9, 021301 (2016).
7.Qihai Lu, RongHuang, Xiaoling Lan, Xiaowei Chi, Chao Lu, Cheng Li,Zhiguo Wu, JunLi, Genliang Han, Pengxun Yan, Amazing diffusion depth of ultra- thin hafnium oxide film grown on n-type silicon by lower temperature atomic layer deposition, Materials Letters 169(2016)164–167
8.Chen Wang, Cheng Li, Guangyang Lin, Weifang Lu, Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, Germanium n+/p Shallow Junction With Record Rectification Ratio Formed by Low-Temperature Preannealing and Excimer Laser Annealing IEEE Trans. On Electron Devices VOL. 61, NO. 9, SEPTEMBER 2014。
9.Guangyang Lin, Mengrao Tang, Cheng Li,a) Shihao Huang, Weifang Lu, Chen Wang,Guangming Yan, and Songyan Chen，Formation of nickel germanide on SiO2-capped n-Ge to lower its Schottky barrier height，Appl. Phys. Lett. 103, 253506 (2013)。
10.Shihao Huang,Cheng Li,Cheng zhao Chen, Chen Wang, Guangming Yan,Hongkai Lai, and Songyan Chen， In situ doped phosphorus diffusion behavior in germanium epilayer on silicon substrate by ultra-high vacuum chemical vapor deposition，Appl. Phys. Lett.. 102, 182102 (2013)
11.Shihao Huang, Weifang Lu, Cheng Li,* Wei Huang, Hongkai Lai, and Songyan Chen，A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission， Vol. 21, No. 1，OPTICS EXPRESS640，14 January 2013.
12.Chen Wang, Cheng Li, Shihao Huang, Weifang Lu, Guangming Yan, Guangyang Lin,Jiangbin Wei, Wei Huang, Hongkai Lai, and Songyan Chen，Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge nþ/p Diode Achieved by Implantation and Excimer Laser Annealing，Appl. Phys. Express 6 (2013) 106501
13.Mengrao Tang, Cheng Li，Zheng Wu, Guanzhou Liu, Wei Huang, Hongkai Lai, Songyan Chen, “A Study of the Schottky-Barrier Height of Nickel Germanosilicide Contacts Formed on Si1−xGex Epilayers on Si Substrates”, IEEE. Tran. Electron Devices,59（9），2438-2443, (2012).
14.Zheng Wu, Wei Huang, Cheng Li, Hongkai Lai, and Songyan Chen，Modulation of Schottky Barrier Height of Metal/TaN/n-Ge Junctions by Varying TaN Thickness IEEE Tran. Electron Devices. 59（9），1328， 2012.
15.Yanghua Chen, Cheng LI*, Hongkai Lai, Songyan Chen, Quantum-confined direct band transitions in tensile strained Ge/SiGe qauntum wells on silicon substrate, Nanotechnology, 21，115207，2010.
16.Cheng LI*, Yanghua Chen, Zhiwen Zhou, Hongkai Lai, Songyan Chen, Enhanced photoluminescence of strained Ge with a delta-doping SiGe layer on silicon and silicon-on-insulator, Appl. Phys. Lett. 95, (2009).
17.Yanghua Chen, Cheng Li*, Zhiwen Zhou, Hongkai Lai, Songyan Chen, Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/SiGe quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate, Appl. Phys. Lett. 94, 141902(2009)
18.Cheng Li, Qinqing Yang, Hongjie Wang, Jinzhong Yu, Qiming Wang, Yongkang Li, Junming Zhou, Chenglu Lin,  " Si1-xGex/Si Resonant- Cavity-Enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3mm ", Appl. Phys. Lett., 77(2), p.157,July 10, 2000.

1．国家重点研发计划课题，2008YFB200103，硅基直接带隙锗锡发光材料及器件，2019/08-2022/08，在研，主持
2．国家自然科学基金面上项目：61474094，绝缘体上锗（GOI）纳米带应变调控机理及其MOSFET研究，2015/01-2018/12, 结题，主持。
3．国家重点基础研究发展计划（973）子课题，2013CB632103，硅基能带调控发光材料与激光器件，2013／1- 2017／12，结题，子课题主持（骨干成员）。
3.国家重大科学研究计划（973）课题，2012CB933503 硅基混合集成微纳结构高速高灵敏度光电探测器的研究，2012／1-2016／12，结题，课题组长。
4.国家自然科学基金面上项目，61176092 金属与锗接触界面微结构及势垒高度调制机理研究，2012／1-2015／12， 结题，主持。
5.教育部博士点基金项目，20110121110025 基于能带工程的硅基锗高效发光材料研究，2012／1-2014／12，结题，主持。
6.国家自然科学基金重点项目子课题，61036003 硅基锗材料外延及相关器件基础研究，2011／1-2014／12， 结题，子课题主持（课题副组长）。
7.国家重点基础研究（973）计划子课题，2007CB613404 基于能带工程的硅基发光材料及原型器件，2007／7-2011／8，结题验收。子课题主持（骨干成员）。
8.教育部新世纪优秀人才支持计划：NCET-07-0724 高速Si基长波长Ge探测器及其集成化技术研究,2007／7-2009／7，结题，主持。
9.国家自然科学基金面上项目，60676027  SOI基高速窄谱带长波长锗光电探测器的研究，2007／1-2009／12，结题，主持。
10.国家自然科学基金面上项目，50672079 硅基高效发光材料研究 2007／1-2009／12， 结题，第2参加人。
11.福建省工业科技重点项目，2006H0036 SOI基高速垂直腔锗探测器，2006／7-2009／7，结题验收，主持。
12.教育部留学回国人员基金项目，锗硅量子点光电晶体管的研制， 2005／1-2007／12，结题，主持。
13.福建省青年人才创新项目，2004J021 锗硅异质结晶体管及其集成化关键技术研究 2004／6-2007／7，结题，主持。

《集成电路CAD》
《半导体材料与器件表征技术》
《光电子前沿研讨课》
《光电子与光子学》