|
个人信息：Personal Information
教授
性别：女
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：先进材料与纳米科技学院
学科：材料学
扫描关注
Mechanism of Triple Ions Effect in GeSO Resistance Random Access Memory
点击次数：
所属单位：先进材料与纳米科技学院
发表刊物：IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
第一作者：Zhang, Wei; Hu, Ying; Chang, Ting-Chang; Tsai, Tsung-Ming; Chang, Kuan-Chang; Chen, Hsin-Lu; Su, Yu-Ting; Zhang, Rui; Hung, Ya-Chi; Syu, Yong-En; Chen, Min-Chen; Zheng, Jin-Cheng; Lin, Hua-Ching; Sze, Simon M.
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000355252300008
卷号：36
期号：6
页面范围：552-554
ISSN号：0741-3106
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
收录刊物：SCI