郑有炓院士

       郑有炓，半导体材料与器件物理专家。1935年10月1日生于福建大田，1957年毕业于南京大学物理系，现任南京大学电子科学与工程学院教授，2003年当选为中国科学院院士。长期从事半导体异质结构材料与器件物理研究，近年主要致力于宽禁带半导体光电子材料与器件研究。首次观测到AlGaN/GaN异质结构二维电子气舒勃尼科夫-德哈斯效应（SdH）双周期振荡,揭示量子阱双子带占据和子能带间电子散射及高温下高阶子带电子输运散射机制；揭示压电极化和掺杂对二维电子气浓度和空间分布的影响规律；创新发展了基于极化诱导的AlGaN/GaN增强型MIS场效应器件、硅基AlGaN/GaN/AlGaNMSM紫外探测器和蓝宝石基光导型紫外探测器；提出压电调控的金属/铁电体/氮化物半导体的新型复合异质结构，开辟发展GaN-MFS器件新途径；创新发展了锗硅异质结构外延和高选择性GeSi/Si化学腐蚀技术；发现应变锗硅合金有序化新结构，提出有序结构新模型;创新发展了具有极高光电响应度的能隙阶梯缓变结构锗硅红外探测器；提出基于锗硅技术制备SiO₂/Si量子限制的硅量子线及自限制氧化制备超精细硅量子线新方法；在II-VI/III-V族半导体复合结构研究上，首次观测到CdTe/InSb复合结构界面存在高迁移率二维电子气及二维电子气占据子带规律。研究成果获得国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖三等奖1项、江苏省科技进步奖一等奖1项、江苏省人才培养教学成果一等奖1项、教育部自然科学一等奖和技术发明一等奖各一项。还先后获得省部级科技进步奖8项以及国防科工委光华科技基金奖一等奖、国家863计划先进工作者一等奖。