CN201911022556.X 三氧化钼纳米结构敏感材料及相应氨气传感器及制备方法

发布者:张永姣发布时间:2024-12-02浏览次数:13

专利号:CN201911022556.X

专利名称:三氧化钼纳米结构敏感材料及相应氨气传感器及制备方法

申请日:2019-10-25

专利类型:授权发明

支付方式:一次总付

支付标准:10万元

开放许可期限:5年

所属分类:新一代信息技术

  

项目详情:本发明的三氧化钼纳米结构敏感材料及相应氨气传感器及制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。制备时,取相应量钼酸钠和硫脲,柠檬酸和十六烷基三甲基溴化铵,混合成溶液后,经加热保温干燥后获得MoS2粉末,相应温度下煅烧获得MoO3粉末敏感材料。并将该敏感材料配成浆料后涂覆于基座表面,相应温度下进行烧结,并相应设置电极,基座内部引线设置加热层,制得传感器。该传感器对氨气表现出超高的灵敏度,对100ppm氨的响应达到4000,检出下限可达100ppb。制备器件的工艺简单、体积小、适于大批量生产,在检测环境中氨气污染物方面有广阔的应用前景。

  

联系人:张刚刚

电话:83671445

邮箱:dbdxzscq@mail.neu.edu.cn