CN201810920714.2 一种基于GQDs/PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法

发布者:张永姣发布时间:2022-11-24浏览次数:12

专利号:CN201810920714.2

专利名称:一种基于GQDs/PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法

申请日:2018/8/14

专利类型:授权发明

支付方式:面议

支付标准:面议

所属分类:新一代信息技术

  

项目详情:本发明提出了一种基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器及制备方法。所述的FPI级联型湿度传感器由单模光纤、光子晶体光纤、空芯光纤和GQDs‑PVA混合物组成,其中,GQDs‑PVA混合物填充在空芯光纤里面,光子晶体光纤的长度为aum,空芯光纤未填充GQDs‑PVA混合物的长度为bum,且0.5<a:b≤1,从而形成FPI级联型的传感结构。单模光纤的另外一端与光纤环形器相连,环形器的另外两端分别与宽谱光源和光谱仪相连接。本发明提出的基于GQDs‑PVA填充的FPI级联型光纤湿度传感器是反射式结构,具有结构简单、传感器成本低、敏感材料不易脱落、灵敏度高、测量范围宽等优点。

  

联系人:成雅剑

电话:83671445

邮箱:dbdxzscq@mail.neu.edu.cn