报告摘要

硅基快时间探测器近年来在高能物理、核物理、空间探测等领域得到广泛应用。然而，硅探测器运行在辐照环境往往需要庞杂的低温系统，且随着辐照剂量增加，探测 性能也随之下降。碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，相比硅具有禁带宽、原子位移阈能高、导热率高以及载流子饱 和漂移速度快等优点，有潜力研制成抗辐照、耐高温的高时间分辨探测器。本报告将介绍4H-SiC-PIN探测器的快时间测量（94ps）以及4H-SiC-LGAD的研制，通过仿真预测其时间分辨可达35ps。

报告人简介

史欣，2001年本科毕业于山东大学物理系；2004年获得北京大学技术物理系硕士学位；2011年获得美国康奈尔大学博士学位。2011年至2015年博士后分别在台湾大学（常驻瑞士日内瓦欧洲核子中心CERN）和美国普渡大学。从2002年至今，分别参与了北京正负电子对撞机、康奈尔正负电子对撞机和欧洲核子中心的大型强子对撞机上的实验，开展物理分析与半导体探测器研制。2015年入选中科院人才计划，2016年入选国家人才计划。现为中科院高能所特聘青年研究员，负责中国组ATLAS实验硅微条探测器升级项目，同时作为国际抗辐照半导体探测器合作组（RD50）高能所负责人开展新型抗辐照半导体材料探测器的研发。