标 题：Understanding memristive switching via in situ characterization and device modeling
时 间：2019 年 11 月 10 日 15 : 00 - 16 : 30
地 点：国家光电研究中心 A 301
报告人：高 滨 副教授 （清华大学）
邀请人：何毓辉 教授
报告摘要：
忆阻器在非易失性存储器和新型计算领域有着巨大的发展潜力，但是在器件性能优化和芯片设计方法上还面临诸多问题，如器件一致性如何优化，开关耐久性如何提升，如何构建高效率的存算一体化架构，如何利用电路和算法补偿器件非理想特性等。本讲座将分三个方面，首先介绍如何通过原位表征技术分析忆阻器工作时的离子动力学过程，从而澄清非理想因素产生的机理；然后介绍如何结合模型/模拟技术与原位表征实验来重构忆阻效应的完整物理图像；最后介绍如何搭建基于微观物理过程的忆阻器件仿真工具和基于实际器件特性的完整芯片仿真工具，为未来的类脑芯片设计提供必要的EDA支撑。
报告人介绍:
高滨，2008年毕业于北京大学物理系，获得物理学学士学位；2013年获得北京大学微电子学与固体电子学专业博士学位。2015年加入清华大学微纳电子系，2017年晋升副教授。现主要从事新型存储器件和芯片方面的研究，尤其专注于阻变存储器的表征、模型与可靠性。在微电子三大顶级会议（IEDM、VLSI和ISSCC）发表论文37篇，在Nature，Nature Electronics，Nature Communications，Advanced Materials，IEEE Electron Device Letters等期刊发表论文100余篇，SCI他引超过2000次；已获得授权发明专利36项；是IEDM，DAC，IRPS等重要国际学术会议的TPC。
