标 题：功能氧化物外延膜及突触器件
时 间： 2020 年 1 月 7 日 15: 00 - 16: 00
地 点：新光电信息大楼 C111
报告人：葛 琛 副研究员，中国科学院物理研究所
邀请人：徐 明 教授
报告摘要：
类似于人脑的神经网络型信息处理模式效率将会明显优于传统架构计算机，开发符合神经形态计算特性的电子器件（电子突触）从而构建大规模人工神经网络，最终实现高性能低功耗的“类脑芯片”，已经成为未来信息科技发展的一个重要方向。近几年来，我们围绕极化场（电解质和铁电）调控功能氧化物界面的基本科学问题，探索实现高性能的电子突触器件，取得一些进展。通过电解质极化场控制H和O离子在界面迁移实现高性能的突触晶体管，对电解质突触晶体管器件的优化设计和性能改善具有重要的参考意义[1-4]；制备了目前开关比最大的铁电隧穿结，进一步通过铁电畴逐渐翻转实现了高性能铁电氧化物突触器件[5,6]。
[1] Adv. Mater. 30, 1801548 (2018). [2] Adv. Mater. 31, 1900379 (2019).
[3] Adv. Funct. Mater. 29, 1902702 (2019). [4] Nano Energy 67, 104268 (2020).
[5] iScience 16, 368 (2019). [6] Adv. Mater. 32, 1905764 (2020).
报告人介绍:
葛琛，中国科学院物理研究所副研究员、博士生导师，入选中国科学院青年创新促进会。2007年本科毕业于山东大学物理学院，2007-2012年中科院物理所师从杨国桢院士攻读硕博连续学位，留所工作至今。一直从事激光分子束外延法制备功能氧化物异质结构及新型信息器件研究，在Science、iScience（Cell子刊）、Adv. Mater.、Adv. Funct. Mater.、Phys. Rev. B等等期刊上发表SCI论文60余篇，引用1000余次。承担国家重点研发计划（课题负责人）、国家自然科学基金委、中国科学院等多个项目。长期担任Nat. Commun.、Adv. Mater.等期刊审稿人。
