2016年6月22日上午，被誉为“忆阻器之父”的美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系教授、欧洲科学院和匈牙利科学院的外籍院士、IEEE Fellow蔡少棠教授受聘华中科技大学名誉教授聘任仪式在光电学院会议室举行。陈建国副校长向蔡少棠教授颁发了聘书，出席授聘仪式的还有国际交流处何刚副处长、光学与电子信息学院院长张新亮教授、副院长吕文中教授、副院长杨晓非教授、长江学者缪向水教授。

受聘仪式由光学与电子信息学院张新亮院长主持，我院缪向水教授对蔡少棠教授的学术成就做了介绍，由陈建国副校长向蔡少棠教授颁发了名誉教授聘书。颁发聘书后，陈建国副校长代表学校对蔡少棠先生的加盟表示了诚挚的欢迎，并感谢蔡少棠教授长期以来给予华中科技大学的关心、支持和帮助。

“忆阻器这种新型器件在很多应用领域都有着巨大潜力，是未来科学发展的一块重要研究领域，国外很多学校也都在做忆阻器相关的研究。”年近耄耋的蔡少棠教授谈到忆阻器时依然慷慨激扬。他表示，华中科技大学缪向水教授团队为忆阻器领域做出了突出贡献，他很期待以后能够与华科有着更多的交流与合作。

继授聘仪式之后，光电学院师生聆听了蔡少棠教授题为“Crisis in Electronic Circuit Theory”的报告。报告会由缪向水教授主持。在本次报告中，蔡教授从忆阻器最基本的定义出发，解释了忆阻器的基本概念，提出了忆阻器的判断依据，阐述了物理忆阻器件与理想忆阻器的差异，深入浅出地回答了为什么直流激励下理想忆阻器伏安曲线为线性的“点”而交流激励下忆阻器却展现出捏滞回线、忆阻器的捏滞回线为何与激励的幅值与频率及初始态有关、如何从忆阻器的断电图判断其易失性、状态连续和分立的非易失性存储器的差异、局域无源忆阻器和局域有源忆阻器的概念及为何我们认为大脑也是由忆阻器构成等问题。报告的整个过程中，蔡教授清晰的思路、抖擞的精神以及对科学探索的热爱给了在场师生极大的激励和鼓舞。

报告会之后，在场的老师和学生都纷纷针对忆阻器的相关问题与蔡教授进行了面对面的学术交流和讨论，现场气氛非常活跃。

蔡少棠教授简介

蔡少棠（Leon O. Chua）现为美国加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系荣休教授，是欧洲科学院和匈牙利科学院的外籍院士、IEEE Fellow。蔡少棠教授在1971年理论提出的忆阻器（Memristor）于2008年由美国惠普实验室在《Nature》发文宣布物理实现。忆阻器是一种与磁通量和电荷相关的无源电路元件，被认为是继电阻、电容、电感之后的第四种电路基本元件，在信息存储、逻辑运算、神经形态计算、非线性电路领域有着非常重要的应用前景。这一个概念的提出和实现给传统电路理论带来了根本性的变革。忆阻器的物理实现当年被美国《时代》周刊评为2008年50项最佳发明之一，并入选美国《连线》杂志2008年十大科技突破。