2023年9月24日，应我院董文副教授邀请，云南大学材料与能源学院副院长胡万彪教授做客 “喻园•育芯”讲坛。给我院师生带来题为《高介电常数氧化物的局域结构与理论模型》的报告。本院姜胜林教授、张光祖教授、李康华副教授等，武汉纺丝大学贺翀教授贺杜康副教授参与了此次交流会。
胡万彪教授首先介绍了高介电常数氧化物目前主要作为介质材料应用于大容量射频电容、微波电容以及晶体管栅极，同时随着科学家们致力于新材料体系的开发和器件结构的不断优化，本领域也得到了快速发展；随后介绍了高介电常数特别是基于体相材料缺陷提升介电常数的溯源、理解和应用等方面的问题，并且从介质材料的基本理论出发，建立了缺陷偶极等效电路模型，通过推导出高介电常数增强的数学方程，建立了高介电常数新理论；进一步介绍如何通过结构设计，开发获得一系列新型高介电常数氧化物材料，全面研究其电学和介电性质。在提问环节，胡万彪教授就介质材料的理论模型方面与同学进行了深入的交流。
交流会为大家提供了交流的平台，从介质材料的基础理论研究到结构设计的全方位交流，为研究生们提供了研究思路，开拓了科研思维，弥补了理论研究以及实验研究中的短板和盲区，促进了学生对于学科问题更加全面宏观的认识。同时为老师们在实验方面提供了宝贵的理论支持。
报告人介绍
胡万彪，博导，研究员，国家高层次引进青年人才，云南大学材料与能源学院副院长（主持工作），云南大学电镜中心负责人，云南省电磁材料与器件重点实验室主任，中国材料研究学会青年工作委员会常务理事，中国物理学会光散射专业委员会委员，中国科技工作者协会理事。长期从事电磁介质材料、晶体学和电子显微学研究，通过透射电子显微术、价键能量理论、等效电路模型等解析电磁材料局域结构及其性质关联。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划子课题和云南省科技专项等科研项目十余项。以第一或通讯作者发表Nature Materials，Advanced Energy Materials，ACS Nano等 SCI论文60余篇，授权国际专利1项，中国专利12项。
