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Electrical control and transport of tightly bound interlayer excitons in a MoSe2/hBN/MoSe2 heterostructure
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合写作者：Zhang L#,Gu L#,Ni R,Xie M,Park S,Jang H,Taniguchi T,Watanabe K,Zhou Y
发表刊物：PRL
卷号：132
页面范围：216903
DOI码：10.1103/PhysRevLett.132.216903
发表时间：2024-05-24
发布期刊链接：https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.132.216903