戴江南，男，1980年09月生，汉族，湖南省衡阳县人，博士研究生学历（师从中国科学院院士 江风益教授），现任华中科技大学武汉光电国家研究中心教授、博导（华中卓越学者），华中科技大学鄂州工业技术研究院院长、首席科学家。

学科方向：物理电子学、光学工程、电子科学与技术

研究方向：第三代半导体紫外光电材料及芯片器件关键技术方向的人才培养、科学研究工作，涉及材料生长、芯片制造、器件物理等方面。

       近十几年来一直从事第三代半导体AlGaN基紫外光电材料与芯片器件领域的研究工作。负责攻关的研制半导体 AlGaN 基核心材料成功应用于航天科工“海洋一号”卫星工程。主导研制的半导体深紫外芯片器件发光功率达到了国际先进水平，并首次将光电倍增循环结构单片集成技术应用在深紫外发光二极管（DUV LED: deep ultraviolet LED）芯片领域，获得国际上DUV LED芯片最高电光转换效率值21.6%。主持研发的紫外LED，获批2020 年国家自然科学基金委“新型冠状病毒（2019-nCoV）溯源、致病及防治的基础研究”唯一半导体紫外LED 专项项目，有力支撑了国家“健康中国”发展战略。

一、 教学育人

秉承“科教融合、教书育人、教学相长”的教学理念，先后获得校创新创业优秀指导教师、创青春”双创杯全国大学生创业大赛“银奖”项目指导教师、中国电子学会优秀博士学位论文指导老师、“挑战杯”全国大学生课外学术科技作品竞赛获优秀指导教师、首届湖北省博士后创新创业大赛优秀指导教师等荣誉。

二、科研工作

自2008年加入华中科技大学以来，一直从事第三代半导体深紫外光电材料与芯片器件领域（重点围绕紫外发光和紫外探测）的研究工作。近年来，以第一作者和通讯作者Nano Energy，Advanced Functional Materials，Science Advances, ACS Photonics, ACS Applied Material & Interface, IEEE Electron Device Letters，Applied Physics Letter，Optics Letters，Optics Express等国际高水平期刊上发表SCI论文160余篇，被学术引用2600余次, 参编学术论著1部/章节。目前已主持科技部国家重点研发计划课题（3项）、国家自然科学基金项目（4项）、中国博士后基金一等资助项目等，湖北省自然科学基金、华中科技大学自主创新研究基金、武汉市科技局应用基础研究计划项目、中科院红外重点实验室开发课题等，相关工作被国际半导体权威杂志《化合物半导体（Compound Semiconductor）》、《今日半导体（Semiconductor Today）》等刊物新闻专题报道和评价。

三、科创工作

2020年担任华科技大学鄂州工业技术研究院院长以来，重点围绕湖北省战略发展规划光谷科创大走廊建设，武汉新城科技创新等领域开展科技创新和成果转化工作，带领研究院成功获批国家级科技企业孵化器，实现了鄂州市国家级科技企业孵化器“零”的突破；主导建设的“湖北省深紫外光电技术专业型研究所”获省级新型研发机构专业型研究所；入选《光谷科技创新大走廊发展战略规划》重点创新平台，并当选光谷科创大走廊孵化服务联盟副理事长单位；作为武汉光电研究中心的重要成果转化平台，为区域发展新质生产力、塑造发展新动能新优势贡献力量。

四、学术交流

    与美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院（诺贝尔奖得主中村修二教授）、美国普渡大学、南洋理工大学、沙特阿拉伯阿卜杜拉国王科技大学、日本德岛大学、韩国江原国立大学、法国标致-雪铁龙集团、北京大学、清华大学、西安电子科技大学、中科院半导体所、台湾交通大学、南京大学、厦门大学、南昌大学、中国科技大学、中科院上海技术物理研究所、中国电子科技集团公司第四十四所、河北工业大学、广西大学等国内外相关第三代半导体研究课题和机构保持着密切合作关系。