Changqing Chen

· Personal Information

Professor

Supervisor of Doctorate Candidates

Supervisor of Master's Candidates

Gender:Male

Status:Employed

Teacher College:School of Optical and Electronic Information

Department:School of Optical and Electronic Information

Education Level:Postgraduate (Doctoral)

Degree:Doctoral Degree in Science

Alma Mater:埃尔朗根-纽伦堡大学

Discipline: Other specialties in Optical Engineering

· Other Contact Information:

ZipCode:

PostalAddress:

Telephone:

Email:

· Personal Profile

陈长清,男,1971年12月生,汉族,福建省莆田市人,博士研究生学历,现任 华中科技大学武汉光电国家研究中心 教授、博导(“湖北楚天学者计划”入选者)。 学科方向:物理电子学、光学工程、电子科学与技术 研究方向:第三代半导体紫外光电材料与芯片器件 教学理念:科教融合 教书育人 师生共同进步成长。 团队文化:埋头苦干,与人为善;敢于竞争,善于转化。 二十多年来一直从事第三代宽禁带半...

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· Education Experience

1997.9 ~ 2000.10
 德国埃朗根纽伦堡大学   Doctoral Degree in Science  -  Postgraduate (Doctoral) 
1997.9 ~ 2000.10
 德国埃尔朗根-纽伦堡大学  -  半导体物理与器件  -  Doctoral Degree  -  With Certificate of Graduation for Doctorate Study 
1995.3 ~ 1997.1
 中国科学院上海冶金所   Postgraduate student 
1992.9 ~ 1994.12
 武汉大学   Master's Degree in Science  -  Postgraduate (Master's Degree) 
1988.9 ~ 1992.7
 武汉大学   Undergraduate (Bachelor’s degree) 

· Work Experience

2007.11-Now
华中科技大学  - 武汉光电国家研究中心 - 教授
2005.11-2007.10
华灿光电股份有限公司  - 研发部 - 技术总监
2004.3-2005.10
Azure Semiconductor Technologies Inc.  - 研发部 - 技术总监
2001.4-2004.2
University of South Carolina  - 电子工程系 - 研究科学家
2001.1-2001.3
Virginia Commonwealth University  - 电子工程系 - 访问学者

· Social Affiliations

2010.1-2021.5
美国光学学会(OSA)会员
2018.1-Now
全国材料与器件光电材料专业委员会光电材料专家组专家

Welcome to my home page!

· Research Group

· Name of Research Group:先进半导体材料与器件

Description of Research Group:团队介绍:陈长清教授自2007年11月加入华中科技大学武汉光电国家研究中心(原武汉光电国家实验室(筹))组建团队以来,截止到2021年5月份,团队在半导体深紫外发光材料外延生长(Advance Function Material, 05445, 2019; Crystengcomm, 21, 4072-4078, 2019; Applied Physics Letters, 114, 042101, 2019),芯片设计(ACS Photonics, 6, 2387-2391, 2019; IEEE Electron Device Letter, 2948952, 2019; Optics Express, 27, A1601-A1604, 2019),器件制备(ACS Applied Material Interfaces, 11, 19623-19630, 2019; IEEE Transaction on Electron Devices, 65, 2498-2503,2018)和新结构新机理探索(Nano Energy, 104181, 2019; Optics Letter, 44, 1944-1947, 2019)等方面展开了系列科学研究,已发表中科院JCR一区论文20余篇,获批国家级项目12项(其中国家重点基础研究发展计划973项目课题(含子课题)2项(N0.2010CB923204, 2012CB619302)、国家自然科学基金研究重大专项子课题1项(N0.10990103)、国家重点计划研发课题(含子课题)3项(No. 2018YFB0406602, 2016YFB0400901, 2016YFB0400804),面上基金项目4项(No. 61774065, 60976042, 61675079, 61974174),青年基金项目2项(No. 51002058, 61704062))。研究团队秉承“埋头苦干,与人为善;敢于竞争,善于转化”这一理念,在半导体深紫外发光芯片和器件研究方面取得系列科研成果的同时,也积极参与在武汉光电工业技术研究院、华中科技大学鄂州工业技术研究院、华中科技大学科技园等指导和支持下进行半导体深紫外发光芯片和器件科研成果转化工作。

热烈欢迎具有光学、材料、电子和物理相关背景的学生加入攻读硕士和博士学位,及具有相关背景的博士毕业生加入从事博士后研究。
1.招收专业:光信息科学与技术、光电 信息工程、物理学、电子科学与技术、材料科学或其他相关专业的优秀保送生。
2.科研兴趣浓厚,敢于创新,勤奋刻苦。
联系E-MAIL: cqchen@hust.edu.cn