第21届IEEE集成电路设计与技术国际会议(21st ICICDT)最佳会议论文(指导老师)

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Title of Achievement:一种用于边缘计算的高能效、低电压基于SRAM的电荷恢复逻辑近存计算宏单元（An Energy-Efficient Low-Voltage SRAM-based Charge Recovery Logic Near-Memory-Computing Macro for Edge Computing）

Note:本文提出了一种用于深度神经网络（DNN）卷积计算的基于低电压静态存储器（SRAM）的电荷恢复逻辑近存计算设计方案。该设计采用了双时钟域架构，通过权重静态数据流减少SRAM的访问频率，降低了SRAM的供电电压和存储器访问频率，从而显著节省存储能耗；此外，该设计通过电荷恢复逻辑在亚阈值（Sub-Vth）电压下运行组合逻辑电路，大幅降低了计算功耗，并通过锁存器设计和升压电路保证了计算速度不受影响。该项工作在40 nmCMOS工艺下实现100 MHz和3.71 TOPS/W的计算能效，指标达到国际学术领先水平。

First-Level Discipline:电子科学技术

Date of Award:2024-09-27