个人信息
Personal information
教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
在职信息：在职
所在单位：物理学院
学历：研究生(博士)毕业
学位：理学博士学位
毕业院校：华中科技大学
学科：无线电物理精密测量物理
学术荣誉：
2010 华中学者
2012 教育部新世纪优秀人才支持计划入选者
2013 国家杰出青年科学基金获得者
2014 湖北省有突出贡献中青年专家
2017 万人计划领军人才
2018 享受政府特殊津贴人员
[4]. 发明名称：一种深硅刻蚀方法；发明人：涂良成、伍文杰、范继、刘金全、罗俊；申请号/专利号：ZL201410140457.2，申请日：2014-04-09，授权公告日：2016-01-20