美国美高森美微电子集团公司技术院士饶世国博士受邀来我院开展学术系列讲座

    2016年5月7日-5月18日， 美国美高森美微电子集团公司技术院士饶世国博士应我院吕品教授邀请来我院访问。来访期间，饶博士就先进微电子芯片可靠性设计及分析开展了系列讲座，讲座共十个课时，包括以下十个方面内容：芯片工艺及趋势；电子封装技术及趋势；可靠性基本理论及在微电子领域的应用；晶元级可靠性破坏机理；电子封装可靠性破坏机理；大规模集成电路可靠性设计；先进电子封装可靠性设计；芯片、封装和板级可靠性的耦合问题；产品级芯片可靠性测试及评估；芯片破坏分析方法。在报告中，饶博士概括分析了微电子芯片领域的发展现状以及未来的发展趋势，并对微电子芯片最新的工艺、材料和封装方法给出的详细介绍，对可靠性描述模型及其各种新型工艺引起的可靠性破坏机理进行了深入分析。饶博士的讲座内容丰富，且提纲挈领，让在场师生拓宽了视野，对微电子芯片可靠性领域有了更深的认识。

    饶世国博士，现任美国加州美高森美（Microsemi）微电子集团公司的技术院士，国际电子工程师协会的高级会员。1991年毕业于中国科技大学，获得固体材料和力学博士学位。毕业后任教于中国科技大学。1994年被新加坡国家科技局引进人才计划聘为研究员。1997年开始在美国西北大学可靠性和破坏预防研究中心做研究员。2000年开始进入微电子工业界从事可靠性研究和应用，先后任职于摩托罗拉电子和爱立信公司担任高级和主任工程师。2004年加入美高森美，先后担任技术委员会高级委员，首席工程师和技术院士职称。饶博士在高等芯片的可靠性领域发表三十多篇论文，在多个国际学术会议作大会报告和分会主席。自2012年起担任国际可靠性物理大会技术委员会成员。负责和参与多个国际标准的制定。