Comprehensive Analysis of Paralleled SiC MOSFETs Current Imbalance under Asynchronous Gate Signals
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发表刊物：IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics
合写作者：Xun Shen,Alan Mantooth,Helong Li,Lijian Ding,Chen Wang
第一作者：Jianing Wang
论文类型：期刊论文
通讯作者：Shuang Zhao*
学科门类：工学
文献类型：J
是否译文：否
发表时间：2023-06-26
收录刊物：SCI