Patent description:本发明公开了一种基于SiC MOSFET的浪涌电流测试电路及充放电方法，包括：充电电路，浪涌电流产生电路、测量器件电路、放电电路和驱动电路组成，其中，充电电路由一个电压源和薄膜电容组成，进行浪涌测试之前，对薄膜电容进行充电，充电过程由充电电路进行；浪涌电流产生电路由薄膜电容和一个电感L组成，并产生正弦电流，被测器件为SiCMOSFET；驱动电路是对被测器件SiC MOSFET进行开通和关断。
Type of Patent:Invent
State of Patent:Authorized patents
Application Number:CN202211129647.5
Authorization number:CN202211129647
Number of Inventors:8
Service Invention or Not:no
Application Date:2022-09-16
Publication Date:2022-11-25
Authorization Date:2024-04-12