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New Resonant Gate Driver Circuit for High-Frequency Application of Silicon Carbide MOSFETs

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影响因子：8.162

DOI码：10.1109/TIE.2017.2677307

发表刊物：IEEE Transactions on Industrial Electronics

论文类型：期刊论文

是否译文：否

发表时间：2017-10-20

收录刊物：SCI

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李贺龙 (教授)